1. 項(xiàng)目緣起與整體設(shè)計(jì)思路工業(yè)現(xiàn)場的數(shù)據(jù)記錄儀、PLC 擴(kuò)展模塊、智能變送器這類設(shè)備有一個(gè)繞不開的剛需頻繁寫、隨時(shí)讀、斷電不能丟。傳統(tǒng)方案里EEPROM 寫次數(shù)有限百萬級FRAM 容量小價(jià)格高帶電池的 SRAM 又要考慮電池壽命和環(huán)保問題。我手上這個(gè)項(xiàng)目客戶要求每 10ms 記錄一次關(guān)鍵狀態(tài)設(shè)備壽命按 10 年算算下來單點(diǎn)寫入次數(shù)輕松破億——這時(shí)候MRAM就成了幾乎唯一的選擇。這次選用的MR25H40CDF是 Everspin 家的 4Mbit 串行 MRAMSPI 接口40MHz 時(shí)鐘最關(guān)鍵的是它寫入無延遲、擦寫次數(shù)近乎無限10^14 級別而且不需要像 Flash 那樣先擦后寫。主控用的是PIC18F85J50Microchip 的 8 位老將自帶硬件 SPI 模塊3.3V 供電工業(yè)溫度范圍跟 MR25H40CDF 正好門當(dāng)戶對。整套方案的核心思路很樸素用最少的引腳、最穩(wěn)的時(shí)序把 MRAM 當(dāng)成一個(gè)“永不掉電的 SRAM”來用。不搞文件系統(tǒng)不做磨損均衡因?yàn)?MRAM 根本不需要這些。數(shù)據(jù)直接按地址映射寫入讀的時(shí)候直接按地址取簡單粗暴但極其可靠。下面我把整個(gè)設(shè)計(jì)、實(shí)操、踩坑過程完整拆一遍你照著做基本能復(fù)現(xiàn)。提示MRAM 雖然寫入次數(shù)近乎無限但不代表可以無視時(shí)序違規(guī)。SPI 模式選錯(cuò)、片選處理不當(dāng)照樣讀不出數(shù)據(jù)后面會細(xì)說。2. 核心器件解析與硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)2.1 MR25H40CDF 的關(guān)鍵特性與選型理由MR25H40CDF 這顆芯片我習(xí)慣叫它“SPI 接口的鐵疙瘩”。它的核心存儲單元是磁性隧道結(jié)MTJ靠電子自旋方向存儲數(shù)據(jù)而不是電荷。帶來的直接好處有三個(gè)寫入不需要擦除Flash 寫之前必須擦一個(gè)扇區(qū)MRAM 直接覆蓋寫字節(jié)級操作。寫入速度等于讀取速度沒有寫等待周期SPI 時(shí)鐘給到 40MHz寫一個(gè)字節(jié)就是 8 個(gè)時(shí)鐘周期的事。數(shù)據(jù)保持 20 年以上不需要刷新不需要電池?cái)嚯娂幢４?。對比一下常見方案特性MR25H40CDF (MRAM)W25Q64 (SPI Flash)FM25V05 (FRAM)容量4Mbit (512KB)64Mbit (8MB)512Kbit (64KB)寫入前擦除不需要必須不需要擦寫次數(shù)10^1410^510^14寫入速度無延遲毫秒級無延遲接口SPISPISPI價(jià)格高低中高選 MR25H40CDF 的理由很直接容量夠用512KB 存狀態(tài)記錄綽綽有余、寫入夠快、壽命夠長。客戶之前用 Flash 方案每天擦寫幾千次兩年就壞片換成 MRAM 后這個(gè)問題徹底消失。2.2 PIC18F85J50 的 SPI 模塊配置要點(diǎn)PIC18F85J50 的 MSSP 模塊支持 SPI 主從模式這里我們只用主模式。關(guān)鍵寄存器就三個(gè)SSPCON1、SSPSTAT、SSPADD。配置的時(shí)候有幾個(gè)坑我提前說時(shí)鐘極性CKP和時(shí)鐘邊沿CKEMR25H40CDF 支持 SPI 模式 0 和模式 3。我實(shí)測下來模式 0CKP0CKE1最穩(wěn)空閑時(shí)時(shí)鐘低電平數(shù)據(jù)在上升沿采樣。時(shí)鐘速度PIC18F85J50 在 40MHz 主頻下SPI 時(shí)鐘可以做到 Fosc/4 10MHz。MR25H40CDF 支持 40MHz所以 10MHz 完全在范圍內(nèi)。但如果你用長排線連接建議降到 5MHz 以下信號完整性更好。片選CS必須用軟件控制雖然 MSSP 有 SS 引腳但硬件片選在多設(shè)備共享總線時(shí)容易出問題。我直接用普通 IO 口控制 CS每次操作前拉低操作完拉高時(shí)序完全可控。硬件連接上除了 SPI 四線SCK、SDI、SDO、CSMR25H40CDF 還有HOLD 和 WP 引腳。HOLD 用于暫停通信WP 用于寫保護(hù)。我的做法是HOLD 直接上拉WP 也上拉因?yàn)檐浖锊恍枰獎討B(tài)寫保護(hù)硬件上拉保證芯片始終處于可寫狀態(tài)。注意WP 引腳如果懸空芯片可能處于不確定狀態(tài)讀出來的數(shù)據(jù)會隨機(jī)出錯(cuò)。這個(gè)坑我踩過查了一整天才發(fā)現(xiàn)是 WP 沒上拉。3. SPI 通信協(xié)議與讀寫時(shí)序?qū)嵅?.1 MR25H40CDF 的指令集與操作流程MR25H40CDF 的指令集很精簡常用的就幾條指令名稱指令碼功能說明WREN0x06寫使能寫操作前必須發(fā)WRDI0x04寫禁止RDSR0x05讀狀態(tài)寄存器WRSR0x01寫狀態(tài)寄存器READ0x03讀數(shù)據(jù)WRITE0x02寫數(shù)據(jù)操作流程分兩種寫數(shù)據(jù)流程拉低 CS發(fā)送 WREN0x06拉高 CSWREN 需要獨(dú)立幀拉低 CS發(fā)送 WRITE0x02發(fā)送 24 位地址因?yàn)?4Mbit 512KB需要 19 位地址但芯片按 24 位地址傳輸發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)可以連續(xù)發(fā)多個(gè)拉高 CS讀數(shù)據(jù)流程拉低 CS發(fā)送 READ0x03發(fā)送 24 位地址讀取數(shù)據(jù)字節(jié)可以連續(xù)讀拉高 CS這里有個(gè)細(xì)節(jié)WREN 必須單獨(dú)一幀不能跟 WRITE 指令連在同一個(gè) CS 低電平周期里。我試過連在一起發(fā)寫不進(jìn)去后來查手冊才發(fā)現(xiàn) WREN 需要 CS 上升沿來鎖存。3.2 PIC18F85J50 的 SPI 讀寫函數(shù)實(shí)現(xiàn)下面是我實(shí)際項(xiàng)目里用的 SPI 底層函數(shù)基于 XC8 編譯器#include xc.h #define CS_MRAM LATCbits.LATC2 #define CS_MRAM_TRIS TRISCbits.TRISC2 void SPI_Init(void) { CS_MRAM_TRIS 0; // CS 配置為輸出 CS_MRAM 1; // 默認(rèn)拉高 TRISCbits.TRISC3 0; // SCK 輸出 TRISCbits.TRISC4 1; // SDI 輸入 TRISCbits.TRISC5 0; // SDO 輸出 SSPCON1 0x20; // SSPEN1, CKP0, SPI 主模式 Fosc/4 SSPSTAT 0x40; // CKE1, 數(shù)據(jù)在上升沿采樣 SSPADD 0; // 主模式不用 } unsigned char SPI_Exchange(unsigned char data) { SSPBUF data; while (!PIR1bits.SSPIF); // 等待傳輸完成 PIR1bits.SSPIF 0; return SSPBUF; } void MRAM_WriteEnable(void) { CS_MRAM 0; SPI_Exchange(0x06); CS_MRAM 1; } void MRAM_WriteByte(unsigned long addr, unsigned char data) { MRAM_WriteEnable(); CS_MRAM 0; SPI_Exchange(0x02); SPI_Exchange((addr 16) 0xFF); SPI_Exchange((addr 8) 0xFF); SPI_Exchange(addr 0xFF); SPI_Exchange(data); CS_MRAM 1; } unsigned char MRAM_ReadByte(unsigned long addr) { unsigned char data; CS_MRAM 0; SPI_Exchange(0x03); SPI_Exchange((addr 16) 0xFF); SPI_Exchange((addr 8) 0xFF); SPI_Exchange(addr 0xFF); data SPI_Exchange(0x00); CS_MRAM 1; return data; }這段代碼我用了三年跑在多個(gè)工業(yè)現(xiàn)場沒出過數(shù)據(jù)丟失的問題。關(guān)鍵點(diǎn)在于CS 的拉低和拉高必須嚴(yán)格包裹每一條指令中間不能有中斷打斷。如果系統(tǒng)里有中斷建議在 CS 操作前后關(guān)中斷。3.3 連續(xù)讀寫與地址自動遞增MR25H40CDF 支持連續(xù)讀寫地址會自動遞增。寫的時(shí)候發(fā)完起始地址后可以一直發(fā)數(shù)據(jù)芯片內(nèi)部地址指針自動加一直到 CS 拉高。讀的時(shí)候同理。這個(gè)特性用來做批量數(shù)據(jù)記錄非常方便。比如我要存 100 個(gè)采樣點(diǎn)每個(gè)點(diǎn) 2 字節(jié)直接一次 CS 周期寫完void MRAM_WriteBuffer(unsigned long addr, unsigned char *buf, unsigned int len) { unsigned int i; MRAM_WriteEnable(); CS_MRAM 0; SPI_Exchange(0x02); SPI_Exchange((addr 16) 0xFF); SPI_Exchange((addr 8) 0xFF); SPI_Exchange(addr 0xFF); for (i 0; i len; i) { SPI_Exchange(buf[i]); } CS_MRAM 1; }實(shí)測下來10MHz SPI 時(shí)鐘下寫 256 字節(jié)大約需要 205 微秒。這個(gè)速度對于 10ms 周期的數(shù)據(jù)記錄來說占用 CPU 時(shí)間不到 2%完全可接受。提示連續(xù)寫的時(shí)候注意不要跨頁。MR25H40CDF 沒有頁的概念地址是線性遞增的寫滿整個(gè) 512KB 才會回繞。所以不用擔(dān)心跨頁問題這點(diǎn)比 Flash 省心。4. 數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)與工業(yè)場景適配4.1 存儲區(qū)劃分與地址映射512KB 的 MRAM我把它分成幾個(gè)區(qū)域來用區(qū)域名稱起始地址大小用途系統(tǒng)配置區(qū)0x000004KB設(shè)備參數(shù)、校準(zhǔn)系數(shù)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)區(qū)0x01000256KB循環(huán)記錄寫滿回繞事件日志區(qū)0x41000128KB報(bào)警、故障記錄備份區(qū)0x61000124KB關(guān)鍵數(shù)據(jù)雙備份實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)區(qū)采用環(huán)形緩沖結(jié)構(gòu)寫指針到達(dá)區(qū)域末尾后自動回到起始地址。這樣不需要擦除也不需要搬移數(shù)據(jù)MRAM 的無限寫入特性正好匹配。4.2 掉電保護(hù)與數(shù)據(jù)完整性工業(yè)現(xiàn)場最怕的是寫數(shù)據(jù)寫到一半掉電。MRAM 雖然寫入快但 SPI 傳輸過程中掉電數(shù)據(jù)可能只寫了一半。我的做法是每條記錄加 CRC16 校驗(yàn)讀的時(shí)候先校驗(yàn)校驗(yàn)不過就丟棄。雙備份寫入關(guān)鍵數(shù)據(jù)先寫主區(qū)再寫備份區(qū)讀的時(shí)候兩個(gè)區(qū)都讀取校驗(yàn)通過的那個(gè)。寫完成標(biāo)志每條記錄末尾加一個(gè) 0xAA55 標(biāo)志只有標(biāo)志正確才認(rèn)為寫入完成。這套機(jī)制跑下來即使掉電發(fā)生在寫入過程中最多丟失當(dāng)前這一條記錄歷史數(shù)據(jù)完全不受影響。4.3 溫度與電磁兼容性考量MRAM 的磁性隧道結(jié)對溫度有一定敏感性但 MR25H40CDF 標(biāo)稱工業(yè)級 -40°C 到 85°C實(shí)際測試在 105°C 下也能工作只是寫入電流裕量會下降。如果設(shè)備用在高溫環(huán)境建議降低 SPI 時(shí)鐘高溫下信號完整性變差10MHz 降到 5MHz 更穩(wěn)。增加去耦電容MRAM 電源引腳旁邊放 100nF 10uF 組合減少電源噪聲。遠(yuǎn)離大功率器件MRAM 是磁存儲強(qiáng)磁場環(huán)境可能干擾寫入。如果板上有繼電器、電機(jī)驅(qū)動盡量拉開距離。PCB 布局上SPI 走線盡量等長SCK 和 SDO 之間加地線隔離CS 線不要跟時(shí)鐘線平行走太長。5. 常見問題與排查技巧實(shí)錄5.1 讀不出數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)全為 0xFF這是最常見的問題排查順序如下檢查 CS 是否正常拉低用示波器看 CS 引腳每次操作前必須有一個(gè)干凈的低電平脈沖。如果 CS 一直是高芯片根本不會響應(yīng)。檢查 SPI 模式MR25H40CDF 支持模式 0 和模式 3。如果 CKP 和 CKE 配錯(cuò)數(shù)據(jù)采樣邊沿不對讀出來全是 0xFF 或 0x00。我習(xí)慣用模式 0CKP0CKE1。檢查 WP 引腳WP 如果被拉低芯片進(jìn)入寫保護(hù)狀態(tài)讀正常但寫不進(jìn)去。如果讀都讀不出先看 WP 和 HOLD 是否上拉。檢查電源MRAM 工作電壓 2.7V 到 3.6V如果電壓低于 2.7V芯片可能不工作。用萬用表量一下 VCC 引腳。5.2 寫入后讀出來數(shù)據(jù)不對這種情況通常是時(shí)序問題。重點(diǎn)檢查WREN 是否單獨(dú)一幀前面說過WREN 必須獨(dú)立 CS 周期。地址是否發(fā)對24 位地址高字節(jié)在前。如果地址發(fā)錯(cuò)寫到了別的區(qū)域。CS 拉高時(shí)機(jī)最后一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)發(fā)完后必須等 SPI 傳輸完成SSPIF 置位再拉高 CS。如果提前拉高最后一個(gè)字節(jié)可能沒寫進(jìn)去。我遇到過最詭異的一次寫進(jìn)去的數(shù)據(jù)偶爾錯(cuò)一個(gè)字節(jié)。查了半天發(fā)現(xiàn)是SPI 傳輸完成標(biāo)志沒等CS 拉高太快。后來在 CS 拉高前加了一句while(!PIR1bits.SSPIF);問題消失。5.3 常見問題速查表現(xiàn)象可能原因解決方法讀全 0xFFCS 未拉低 / SPI 模式錯(cuò)檢查 CS 時(shí)序確認(rèn) CKP/CKE讀全 0x00MISO 未接 / 芯片未供電檢查硬件連接和電源寫不進(jìn)去WREN 未發(fā) / WP 拉低單獨(dú)發(fā) WRENWP 上拉數(shù)據(jù)偶爾出錯(cuò)SPI 時(shí)鐘太快 / 干擾降低時(shí)鐘加去耦電容高溫下不穩(wěn)定寫入裕量不足降低 SPI 時(shí)鐘改善散熱掉電丟數(shù)據(jù)寫入未完成加 CRC 和雙備份5.4 實(shí)操心得與避坑建議不要用硬件 CSPIC 的 SS 引腳在 SPI 主模式下容易受干擾軟件 CS 更可控。SPI 時(shí)鐘先降后升調(diào)試階段用 1MHz跑通后再逐步提高到 10MHz。每次寫操作后讀回驗(yàn)證工業(yè)現(xiàn)場數(shù)據(jù)重要寫完立刻讀回對比確認(rèn)無誤再繼續(xù)。MRAM 不需要磨損均衡別畫蛇添足加什么均衡算法直接寫就行。保留一份出廠配置系統(tǒng)配置區(qū)寫完后在備份區(qū)再存一份恢復(fù)出廠設(shè)置時(shí)直接讀備份。6. 性能實(shí)測與長期運(yùn)行數(shù)據(jù)6.1 讀寫速度實(shí)測在 PIC18F85J50 40MHzSPI 時(shí)鐘 10MHz 條件下實(shí)測數(shù)據(jù)操作耗時(shí)單字節(jié)寫約 4.8 微秒單字節(jié)讀約 4.0 微秒256 字節(jié)連續(xù)寫約 205 微秒256 字節(jié)連續(xù)讀約 180 微秒4KB 配置區(qū)全讀約 3.3 毫秒這個(gè)速度對于 10ms 周期的數(shù)據(jù)記錄來說CPU 占用率極低。我實(shí)測連續(xù)運(yùn)行 72 小時(shí)每 10ms 寫一次總共寫入約 2592 萬次讀回校驗(yàn)全部通過沒有一次失敗。6.2 長期運(yùn)行穩(wěn)定性客戶現(xiàn)場有一臺設(shè)備已經(jīng)連續(xù)運(yùn)行 18 個(gè)月每天 24 小時(shí)每 10ms 記錄一次。算下來單點(diǎn)寫入次數(shù)超過 47 億次。MR25H40CDF 標(biāo)稱 10^14 次47 億次連零頭都不到。設(shè)備至今沒有出現(xiàn)任何數(shù)據(jù)丟失或讀取錯(cuò)誤。這個(gè)數(shù)據(jù)讓我對 MRAM 的可靠性有了實(shí)打?qū)嵉男判?。以前?Flash 方案客戶每半年就要換一次存儲芯片現(xiàn)在這個(gè)問題徹底解決了。6.3 成本與替代方案對比MR25H40CDF 單價(jià)確實(shí)比 SPI Flash 貴不少但算總賬Flash 方案芯片便宜但每半年換一次加上停機(jī)維護(hù)成本三年總成本反而更高。MRAM 方案芯片貴一次但十年不用管維護(hù)成本為零。FRAM 方案容量太小512KB 的 FRAM 價(jià)格比 MRAM 還貴而且供貨不穩(wěn)定。所以在這個(gè)項(xiàng)目里MRAM 是綜合成本最優(yōu)的選擇。如果你的項(xiàng)目寫入頻率不高比如一天寫幾次那用 Flash 就夠了沒必要上 MRAM。選型要看實(shí)際寫入頻次和壽命要求不要盲目追新。7. 代碼組織與工程化建議7.1 驅(qū)動分層設(shè)計(jì)我把 MRAM 驅(qū)動分成三層底層 SPI 驅(qū)動負(fù)責(zé)字節(jié)收發(fā)跟具體芯片無關(guān)。MRAM 指令層封裝 WREN、READ、WRITE 等指令處理 CS 時(shí)序。應(yīng)用接口層提供SaveConfig()、LogEvent()、ReadRecord()等業(yè)務(wù)函數(shù)。這樣分層的好處是如果以后換主控或者換存儲芯片只需要改底層上層業(yè)務(wù)代碼不動。7.2 中斷安全處理如果系統(tǒng)里有中斷SPI 操作可能被打斷。我的做法是void MRAM_WriteByte_Safe(unsigned long addr, unsigned char data) { unsigned char gie GIE; GIE 0; // 關(guān)全局中斷 MRAM_WriteByte(addr, data); GIE gie; // 恢復(fù)中斷 }關(guān)中斷時(shí)間大約 5 微秒對系統(tǒng)實(shí)時(shí)性影響可以忽略。但如果不關(guān)中斷SPI 時(shí)序被打斷寫入的數(shù)據(jù)就可能出錯(cuò)。7.3 版本兼容與升級考慮MR25H40CDF 是 4Mbit 版本同系列還有 1Mbit、2Mbit 的型號。如果以后容量不夠可以換更大的型號指令集完全兼容只需要改地址范圍。代碼里我把容量定義成宏#define MRAM_SIZE_BYTES (512UL * 1024UL)這樣升級容量時(shí)只改一個(gè)地方不用滿代碼找地址邊界。提示換更大容量型號時(shí)注意地址位數(shù)。4Mbit 用 19 位地址8Mbit 用 20 位但 SPI 傳輸都是 24 位高位補(bǔ)零即可代碼不用大改。8. 實(shí)際項(xiàng)目中的擴(kuò)展應(yīng)用8.1 數(shù)據(jù)記錄儀中的環(huán)形緩沖實(shí)現(xiàn)環(huán)形緩沖的核心是兩個(gè)指針寫指針和讀指針。寫指針每次寫入后遞增到達(dá)區(qū)域末尾回繞到起始地址。讀指針由上位機(jī)查詢時(shí)控制。unsigned long write_ptr 0x01000; unsigned long read_ptr 0x01000; void LogData(unsigned char *data, unsigned int len) { if (write_ptr len 0x41000) { write_ptr 0x01000; // 回繞 } MRAM_WriteBuffer(write_ptr, data, len); write_ptr len; }這個(gè)結(jié)構(gòu)簡單可靠不需要復(fù)雜的文件系統(tǒng)。上位機(jī)通過串口或 CAN 總線讀取時(shí)從 read_ptr 開始讀讀到 write_ptr 為止。8.2 參數(shù)存儲與掉電恢復(fù)設(shè)備參數(shù)如校準(zhǔn)系數(shù)、通信地址、報(bào)警閾值存在系統(tǒng)配置區(qū)。上電時(shí)先讀配置區(qū)校驗(yàn) CRC如果校驗(yàn)失敗就讀備份區(qū)。備份區(qū)也失敗就加載默認(rèn)參數(shù)。void LoadConfig(void) { MRAM_ReadBuffer(0x00000, (unsigned char*)config, sizeof(config)); if (CRC16((unsigned char*)config, sizeof(config)) ! config.crc) { MRAM_ReadBuffer(0x61000, (unsigned char*)config, sizeof(config)); if (CRC16((unsigned char*)config, sizeof(config)) ! config.crc) { LoadDefaultConfig(); } } }這套機(jī)制保證了即使主配置區(qū)損壞設(shè)備也能正常啟動。8.3 與上位機(jī)通信的數(shù)據(jù)幀設(shè)計(jì)上位機(jī)讀取 MRAM 數(shù)據(jù)時(shí)我定義了一個(gè)簡單的幀格式字節(jié)內(nèi)容0幀頭 0xAA1命令碼2-5起始地址6-7數(shù)據(jù)長度8-N數(shù)據(jù)N1CRC16命令碼包括讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)、讀狀態(tài)、擦除MRAM 不需要擦除但保留命令兼容舊協(xié)議。這個(gè)幀格式簡單解析快適合資源有限的 8 位單片機(jī)。8.4 多設(shè)備共享 SPI 總線的處理如果板上有多個(gè) SPI 設(shè)備CS 必須獨(dú)立控制。我通常用 74HC138 譯碼器擴(kuò)展 CS或者直接用 IO 口。關(guān)鍵是每次操作前只拉低目標(biāo)設(shè)備的 CS其他保持高電平。#define CS_MRAM LATCbits.LATC2 #define CS_OTHER LATDbits.LATD0 void Select_MRAM(void) { CS_OTHER 1; CS_MRAM 0; } void Deselect_MRAM(void) { CS_MRAM 1; }多設(shè)備共享時(shí)SPI 時(shí)鐘和數(shù)據(jù)線是共用的只有 CS 獨(dú)立。所以切換設(shè)備時(shí)先拉高當(dāng)前 CS再拉低目標(biāo) CS中間留一點(diǎn)時(shí)間讓總線穩(wěn)定。9. 調(diào)試工具與測試方法9.1 邏輯分析儀抓包分析調(diào)試 SPI 最有效的工具是邏輯分析儀。我用的是 8 通道 24MHz 的入門款抓 CS、SCK、MOSI、MISO 四根線。抓到的波形可以直接解碼成 SPI 數(shù)據(jù)對照指令集看CS 拉低后第一個(gè)字節(jié)是不是 0x06WREN或 0x03READ地址字節(jié)是不是 24 位數(shù)據(jù)字節(jié)是不是預(yù)期值有一次我抓包發(fā)現(xiàn) WREN 后面跟著的 CS 高電平只有 100ns太短了芯片沒鎖存。后來把 CS 高電平時(shí)間延長到 1 微秒問題解決。9.2 讀寫壓力測試壓力測試我寫了一個(gè)簡單的循環(huán)void StressTest(void) { unsigned long addr; unsigned char data, readback; unsigned long errors 0; for (addr 0; addr 0x80000; addr) { data (unsigned char)(addr 0xFF); MRAM_WriteByte(addr, data); readback MRAM_ReadByte(addr); if (readback ! data) { errors; } } // errors 應(yīng)該為 0 }全片寫一遍讀一遍512KB 大約需要 5 秒。跑 100 遍如果 errors 為 0說明硬件和時(shí)序都沒問題。9.3 掉電測試方法掉電測試比較麻煩我的做法是用可編程電源設(shè)置隨機(jī)斷電時(shí)間。設(shè)備運(yùn)行中電源隨機(jī)切斷然后重新上電檢查數(shù)據(jù)完整性。具體步驟設(shè)備連續(xù)寫入數(shù)據(jù)每 10ms 一條。電源隨機(jī)在 1 秒到 10 秒之間斷電。重新上電讀取所有記錄檢查 CRC。重復(fù) 1000 次統(tǒng)計(jì)丟失記錄數(shù)。實(shí)測下來最多丟失當(dāng)前正在寫的那一條歷史記錄全部完整。這個(gè)結(jié)果滿足客戶要求。9.4 溫度循環(huán)測試工業(yè)設(shè)備要做溫度循環(huán)。我把板子放進(jìn)高低溫箱-40°C 到 85°C每個(gè)溫度點(diǎn)保持 30 分鐘循環(huán) 10 次。每次循環(huán)后讀全片數(shù)據(jù)校驗(yàn) CRC。10 次循環(huán)下來數(shù)據(jù)全部正確。高溫下 SPI 時(shí)鐘降到 5MHz 更穩(wěn)低溫下 10MHz 沒問題。如果產(chǎn)品要在戶外用建議全溫度范圍都用 5MHz留足裕量。10. 一些個(gè)人體會與后續(xù)擴(kuò)展思路這個(gè)項(xiàng)目做下來我最大的感受是MRAM 這種器件用對了場景就是神器用錯(cuò)了場景就是浪費(fèi)。如果你的項(xiàng)目寫入頻率低比如一天寫幾次配置那用 EEPROM 或 Flash 就夠了沒必要花高價(jià)上 MRAM。但如果你的項(xiàng)目需要高頻寫入、掉電不能丟數(shù)據(jù)、維護(hù)成本要低那 MRAM 幾乎是唯一解。PIC18F85J50 這顆老芯片雖然性能比不上現(xiàn)在的 ARM Cortex-M但在工業(yè)現(xiàn)場它的穩(wěn)定性和抗干擾能力是經(jīng)過時(shí)間驗(yàn)證的。SPI 模塊簡單可靠沒有那么多花哨的功能反而少了很多坑。后續(xù)如果要做擴(kuò)展我考慮兩個(gè)方向一是把 MRAM 容量升級到 8Mbit 或 16Mbit存更多的歷史數(shù)據(jù)二是加一個(gè) RTC 和 MRAM 配合給每條記錄打時(shí)間戳方便事后分析。這兩個(gè)改動都不大驅(qū)動層基本不用動只需要改應(yīng)用層的地址映射和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。最后分享一個(gè)小技巧MRAM 的 WP 引腳不要直接接 VCC而是通過一個(gè) 10K 電阻上拉。這樣如果以后需要動態(tài)寫保護(hù)可以用 IO 口拉低 WP不用改硬件。我下一個(gè)版本就準(zhǔn)備這么做軟件控制寫保護(hù)更靈活。