做硬件這行天天跟MOSFET打交道要是沒(méi)搞懂VGS到底是什么電壓后面選型、設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路、排查故障每一步都可能踩坑。我剛?cè)胄心菚?huì)兒就因?yàn)檫@四個(gè)字母吃過(guò)虧拿著萬(wàn)用表對(duì)著管子一頓亂測(cè)愣是沒(méi)搞明白為啥輸出不對(duì)。今天就把這個(gè)東西掰開(kāi)揉碎了講清楚從定義到應(yīng)用從規(guī)格書(shū)到實(shí)操一次說(shuō)明白。1. 先從基礎(chǔ)概念說(shuō)起VGS到底是誰(shuí)和誰(shuí)的電壓差VGS的全稱是Gate-to-Source Voltage翻譯過(guò)來(lái)就是柵極Gate和源極Source之間的電壓差。它不是一個(gè)憑空冒出來(lái)的“某種電壓”而是指在MOSFET這三個(gè)極柵極G、漏極D、源極S當(dāng)中G和S兩點(diǎn)之間的電位差。用公式表達(dá)就是VGS VG - VS也就是柵極電壓減去源極電壓。這個(gè)定義聽(tīng)著簡(jiǎn)單但在實(shí)際電路里特別容易繞暈因?yàn)椤霸礃O電壓”不一定是地0V。很多新手一看到VGS就以為是柵極對(duì)地的電壓其實(shí)不是。源極電位會(huì)隨著電路工作狀態(tài)變化尤其是在源極串了采樣電阻或負(fù)載的電路里VS可能會(huì)被抬高或拉低這時(shí)候VGS的數(shù)值跟你直接測(cè)柵極對(duì)地的電壓完全是兩碼事。舉個(gè)例子經(jīng)典的共源極放大電路里源極通常接一個(gè)小電阻再到地。如果流過(guò)這個(gè)電阻的電流是100mA電阻是10Ω那么VS 1V。這時(shí)候柵極對(duì)地電壓如果是5V那實(shí)際的VGS就只有4V。如果你只查柵極對(duì)地電壓算出來(lái)的工作點(diǎn)和實(shí)際表現(xiàn)會(huì)對(duì)不上尤其是算偏置、算靜態(tài)電流的時(shí)候誤差會(huì)很明顯。所以第一步就是要強(qiáng)迫自己建立一個(gè)條件反射VGS不是“對(duì)地電壓”而是“柵極相對(duì)源極的電壓”。有了這個(gè)基本認(rèn)知后面所有復(fù)雜應(yīng)用都好理解了。再來(lái)理清它與別的電壓參數(shù)的區(qū)別。MOSFET的規(guī)格書(shū)里常見(jiàn)的極間電壓參數(shù)包括VDS漏極與源極之間的電壓差VGD柵極與漏極之間的電壓差這個(gè)很少直接用但寄生電容分析時(shí)有用VGS柵極與源極之間的電壓差我們今天的重點(diǎn)關(guān)鍵點(diǎn)在于這三個(gè)參數(shù)并不是獨(dú)立的它們之間的關(guān)系是VGD VGS - VDS。這個(gè)關(guān)系在分析米勒效應(yīng)、判斷管子是否處于飽和還是線性區(qū)的時(shí)候特別有用。另外還有一個(gè)極其容易混淆的參數(shù)VGS(th)即閾值電壓。這與VGS完全不是一個(gè)概念VGS是一個(gè)工作狀態(tài)下的實(shí)際電壓值而VGS(th)是管子本身的物理屬性表征的是“柵極電壓需要達(dá)到多少管子才開(kāi)始導(dǎo)通”。它是VGS的一個(gè)邊界判定條件不是VGS本身。后面會(huì)詳細(xì)展開(kāi)講這一塊。2. 拆解VGS對(duì)器件工作的三重控制作用如果只記一個(gè)結(jié)論那就是VGS是控制MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷的“總開(kāi)關(guān)”。但仔細(xì)拆開(kāi)看這個(gè)“開(kāi)關(guān)”的作用其實(shí)分了三個(gè)層次分別對(duì)應(yīng)三種不同的工程場(chǎng)景。2.1 第一層超過(guò)閾值電壓形成導(dǎo)電溝道MOSFET是電壓控制型器件柵極本身不流電流理想情況下它靠的是電場(chǎng)效應(yīng)。在柵極和襯底之間有一層二氧化硅絕緣層也就是柵氧化層。當(dāng)在柵極和源極之間施加電壓VGS時(shí)這個(gè)電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)穿過(guò)氧化層影響下方半導(dǎo)體表面的載流子分布。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOSFET襯底是P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子是空穴。當(dāng)VGS為0時(shí)漏極和源極之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的PN結(jié)無(wú)法導(dǎo)通。但是當(dāng)VGS慢慢升高柵極下方的P型半導(dǎo)體表面會(huì)感應(yīng)出電子形成一層“反型層”。當(dāng)VGS超過(guò)某個(gè)臨界值這層反型層就打通了源極和漏極之間的通道也就是形成了N型導(dǎo)電溝道。這個(gè)臨界值就叫閾值電壓VGS(th)。不同管子這個(gè)值不一樣普通低壓MOSFET可能只有1V到2.5V左右而有些高壓功率MOSFET可能要到3V到5V甚至更高。所以第一個(gè)工程含義是你要是想讓管子導(dǎo)通VGS必須大于VGS(th)而且要留出足夠裕量。如果設(shè)計(jì)的時(shí)候裕量不足溫度一變、批次一換管子可能就關(guān)不死了或者導(dǎo)通不徹底這在量產(chǎn)階段是很難排查的軟故障。2.2 第二層驅(qū)動(dòng)電壓大小直接決定導(dǎo)通壓降和發(fā)熱過(guò)了閾值只是“通了”但通得好不好是另一回事。MOSFET導(dǎo)通之后漏極和源極之間并不是完全短路而是有一個(gè)等效電阻叫導(dǎo)通電阻RDS(on)。這個(gè)RDS(on)不是固定值它會(huì)隨著VGS的增大而降低。這個(gè)特性可以類比成一個(gè)水龍頭VGS就是擰閥門(mén)的力道閾值電壓對(duì)應(yīng)“開(kāi)始出水”擰得越用力閥門(mén)開(kāi)得越大水流阻力越小。對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō)VGS電壓越大在允許范圍內(nèi)溝道反型層越厚、電子濃度越高導(dǎo)通電阻就越低管子在相同電流下的壓降和功率損耗就越小。實(shí)際工程中這是個(gè)非常關(guān)鍵的設(shè)計(jì)取舍。很多驅(qū)動(dòng)IC輸出電壓是10V或者12V而有些低壓驅(qū)動(dòng)就只有4.5V甚至3.3V。當(dāng)你用3.3V去驅(qū)動(dòng)一個(gè)VGS(th)為2V的管子時(shí)它雖然能導(dǎo)通但RDS(on)可能比規(guī)格書(shū)標(biāo)注的要高出一大截。規(guī)格書(shū)上那個(gè)漂亮的毫歐級(jí)別RDS(on)數(shù)據(jù)通常是在VGS 10V條件下測(cè)出來(lái)的你要是真的只給3.3V實(shí)際電阻可能是標(biāo)稱值的兩倍甚至三倍發(fā)熱量會(huì)直線上升。借我之前調(diào)試一個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)板的經(jīng)歷選了一顆標(biāo)稱RDS(on)為8mΩ的NMOS想著搭個(gè)5A的負(fù)載綽綽有余。結(jié)果用3.3V單片機(jī)驅(qū)動(dòng)負(fù)載一拉起來(lái)管子燙得能煎雞蛋。最后拿示波器一看VGS實(shí)測(cè)只有3.2V再查規(guī)格書(shū)的曲線圖這個(gè)電壓下RDS(on)已經(jīng)飆到20mΩ以上了功耗生生翻了兩倍多。后來(lái)把驅(qū)動(dòng)電壓提到10V問(wèn)題立刻消失。2.3 第三層VGS參與決定工作區(qū)域影響線性與開(kāi)關(guān)性能MOSFET的輸出特性曲線里通常分成三個(gè)區(qū)域截止區(qū)、線性區(qū)可變電阻區(qū)、飽和區(qū)恒流區(qū)。VGS在其中扮演的角色是“決定轉(zhuǎn)換到哪條特性曲線”配合VDS一起判定管子處于哪個(gè)區(qū)。截止區(qū)VGS VGS(th)管子完全不導(dǎo)通。線性區(qū)VGS VGS(th)且VDS VGS - VGS(th)此時(shí)管子相當(dāng)于一個(gè)電阻RDS(on)越小越好這是開(kāi)關(guān)應(yīng)用的主要工作狀態(tài)。飽和區(qū)VGS VGS(th)且VDS VGS - VGS(th)此時(shí)管子相當(dāng)于一個(gè)壓控恒流源這是放大器應(yīng)用的主要工作狀態(tài)。很多做開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)的人一上來(lái)只關(guān)心RDS(on)卻不看“管子在不在線性區(qū)”。其實(shí)只要VDS到了某個(gè)值溝道在漏極端就已經(jīng)被夾斷了這時(shí)候RDS(on)的理論模型已經(jīng)不成立管子進(jìn)入飽和區(qū)電流取決于VGS和VDS的共同作用沒(méi)法當(dāng)作純開(kāi)關(guān)來(lái)用。區(qū)分這三層作用對(duì)后面理解驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、保護(hù)電路設(shè)計(jì)、以及故障現(xiàn)象判斷都有直接影響。3. 從規(guī)格書(shū)到實(shí)測(cè)VGS相關(guān)的參數(shù)到底怎么讀、怎么測(cè)規(guī)格書(shū)里的曲線和數(shù)據(jù)表是VGS“官方解釋”的最準(zhǔn)確來(lái)源但很多新手不會(huì)看。這里把跟VGS相關(guān)的核心參數(shù)和圖表逐個(gè)過(guò)一遍。3.1 規(guī)格書(shū)里必看的四個(gè)VGS相關(guān)參數(shù)第一閾值電壓VGS(th)。這個(gè)參數(shù)通常有一個(gè)范圍。規(guī)格書(shū)上一般會(huì)寫(xiě)Min和Max值比如1V到2.5V。這里的散布差異是因?yàn)榘雽?dǎo)體制造工藝本身的批次波動(dòng)。工程上你要注意驅(qū)動(dòng)電壓至少應(yīng)比Max值高才能保證器件批量生產(chǎn)時(shí)每顆都能可靠導(dǎo)通而關(guān)斷電壓不給VGS要低于Min值或者直接拉到0V以下才能保證每顆都能可靠關(guān)斷。第二最大額定柵源電壓規(guī)格書(shū)里常寫(xiě)作VGSmax或者±VGS。常見(jiàn)值有±12V、±20V、±30V等。注意這里是“±”意味著VGS不能超這個(gè)范圍不管正向還是反向。如果柵極電壓超過(guò)這個(gè)最大值柵氧化層可能被擊穿管子直接報(bào)廢。這是我們業(yè)內(nèi)的頭號(hào)殺手尤其是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率變換這類柵極電壓有尖峰的場(chǎng)合。第三正向跨導(dǎo)gFS。它表示VGS每增加1V漏極電流會(huì)增加多少。這個(gè)參數(shù)對(duì)放大器設(shè)計(jì)比較關(guān)鍵對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用一般不用太關(guān)心。第四總柵極電荷QG。這個(gè)雖然不叫電壓參數(shù)但它描述了要讓VGS達(dá)到某個(gè)值需要向柵極灌入多少電荷。這在高速開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)里非常關(guān)鍵因?yàn)樗苯記Q定驅(qū)動(dòng)功率和開(kāi)關(guān)速度。3.2 實(shí)測(cè)VGS最容易忽視的三個(gè)陷阱用示波器測(cè)VGS時(shí)最常見(jiàn)的問(wèn)題是共地干擾。由于示波器探頭的地線夾通常和大地相連而功率電路里源極不一定就是安靜的地。如果你用普通探頭去測(cè)高邊MOSFET的VGS探頭的地線夾如果接到源極而源極本身有很高的dv/dt或者振鈴測(cè)出來(lái)的波形可能完全不是真實(shí)情況甚至有可能損壞示波器探頭。要安全地測(cè)VGS建議用差分探頭。如果實(shí)在沒(méi)有差分探頭測(cè)低邊MOSFET源極接系統(tǒng)地時(shí)用普通探頭勉強(qiáng)可以但探頭地線要盡量短防止地線電感引起振鈴。還有一個(gè)容易被忽略的細(xì)節(jié)示波器探頭本身有輸入電容如果探頭前端接到柵極這個(gè)電容與柵極驅(qū)動(dòng)阻抗構(gòu)成RC濾波器會(huì)影響被測(cè)電路的開(kāi)關(guān)速度測(cè)出來(lái)的上升沿可能比實(shí)際慢很多。所以測(cè)VGS時(shí)最好用高阻抗低電容的探頭或者在測(cè)試報(bào)告中記錄探頭型號(hào)作為參考。另外一個(gè)實(shí)測(cè)陷阱是偏置電壓檔位。很多人測(cè)VGS直接用直流檔不設(shè)偏置結(jié)果在屏幕上看不到波形。正確做法是把示波器設(shè)為直流耦合把垂直檔位放到合適范圍比如根據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓2V/格或者5V/格觸發(fā)方式設(shè)為邊沿觸發(fā)再配合適當(dāng)?shù)挠|發(fā)電平才能穩(wěn)定鎖住波形。3.3 怎么從曲線上判斷驅(qū)動(dòng)電壓是否充足規(guī)格書(shū)里通常有一張“輸出特性曲線”橫軸是VDS縱軸是ID每一條曲線對(duì)應(yīng)不同的VGS值比如4.5V、6V、8V、10V。工程上判斷驅(qū)動(dòng)電壓和負(fù)載是否匹配可以直接拿工作點(diǎn)在這張圖上比照。假設(shè)你要讓管子穩(wěn)定導(dǎo)通后通過(guò)20A電流并且希望VDS壓降盡量小意味著RDS(on)小、發(fā)熱小。你在10V這條曲線上找ID 20A的點(diǎn)看對(duì)應(yīng)的VDS是多少。如果VDS還不到0.5V說(shuō)明這個(gè)工作點(diǎn)處在線性區(qū)電阻特性明顯壓降低沒(méi)問(wèn)題。如果對(duì)應(yīng)到4.5V這條曲線VDS可能已經(jīng)到2V以上了說(shuō)明管子已經(jīng)接近或進(jìn)入飽和區(qū)壓降大、功耗高這種情況下可能是驅(qū)動(dòng)電壓不足或選型不對(duì)。這個(gè)判斷思路在電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域極為常用。別只看靜態(tài)的RDS(on)數(shù)字用曲線圖校驗(yàn)實(shí)際工作點(diǎn)能提前避免大量“想當(dāng)然”的翻車。4. 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)VGS的上限、下限和動(dòng)態(tài)過(guò)程VGS的應(yīng)用核心在驅(qū)動(dòng)電路。一個(gè)合格的柵極驅(qū)動(dòng)電路必須保證VGS在安全范圍內(nèi)快速、穩(wěn)定地上升和下降具體要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)。4.1 上限柵氧化層擊穿必須嚴(yán)防死守柵氧化層非常薄就這么一層二氧化硅它能承受的電壓是有限的。超過(guò)最大額定VGS比如±20V氧化層可能直接發(fā)生不可逆擊穿哪怕只超了那么一瞬間也可能造成潛在損傷。這種損傷可能立刻表現(xiàn)為漏電增大也可能是“帶傷工作”幾個(gè)月后才徹底失效屬于非常難排查的間歇性故障。在橋式電路、感性負(fù)載開(kāi)關(guān)這些場(chǎng)景里柵極電壓很容易因?yàn)榧纳姼泻兔桌招?yīng)產(chǎn)生過(guò)沖尖峰。一個(gè)針對(duì)性做法是加?xùn)艠O鉗位即在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)合適的穩(wěn)壓二極管把VGS鉗制在安全范圍內(nèi)防止驅(qū)動(dòng)過(guò)壓與感應(yīng)尖峰擊穿柵極。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值要選得比驅(qū)動(dòng)電壓高一些比如驅(qū)動(dòng)電壓10V選15V的穩(wěn)壓管但又要低于最大額定VGS。4.2 下限柵極驅(qū)動(dòng)不足導(dǎo)致的“半開(kāi)通”災(zāi)難柵極驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)低管子雖然可能導(dǎo)通了但工作在“半導(dǎo)通”狀態(tài)內(nèi)阻比標(biāo)稱值大得多在大電流下會(huì)急劇發(fā)熱。很多功率板上明明管子選型計(jì)算都沒(méi)問(wèn)題卻總是溫度高、效率低十有八九是驅(qū)動(dòng)電壓不足。更隱蔽的情況是VGS正好落在米勒平臺(tái)附近。MOSFET在開(kāi)通過(guò)程中VGS不是直線上升的它會(huì)在某個(gè)電壓附近“?！币欢螘r(shí)間這就是米勒平臺(tái)。如果驅(qū)動(dòng)電壓剛好和平臺(tái)電壓差不多管子會(huì)處在線性區(qū)和飽和區(qū)交界附近開(kāi)關(guān)速度慢、損耗極大、發(fā)熱嚴(yán)重甚至還沒(méi)完全導(dǎo)通就已經(jīng)燒壞了。因此低壓驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合比如3.3V單片機(jī)直驅(qū)一定要選邏輯電平MOSFET這種管子的VGS(th)通常在1V左右。而工業(yè)上的常規(guī)MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓建議至少10V到12V這也是當(dāng)年TTL驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)電壓的來(lái)源之一。4.3 動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)過(guò)程三段式VGS波形看懂開(kāi)關(guān)損耗用示波器觀察一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)波形VGS會(huì)呈現(xiàn)三段式變化第一階段VGS從0開(kāi)始上升但I(xiàn)D還沒(méi)有明顯變化。這時(shí)候柵極主要在對(duì)輸入電容Ciss充電管子仍處于截止?fàn)顟B(tài)。 第二階段VGS達(dá)到VGS(th)電流開(kāi)始上升。在這個(gè)階段VDS保持在高位不變ID從0上升到負(fù)載電流管子同時(shí)承受高電壓大電流開(kāi)關(guān)損耗就集中在這段。 第三階段VGS進(jìn)入米勒平臺(tái)此時(shí)VDS開(kāi)始下降。在平臺(tái)期間VGS幾乎不變但柵極電流全部用于給米勒電容Cgd充電為的是讓VDS降下來(lái)。理解了這三段你就知道為什么驅(qū)動(dòng)能力柵極驅(qū)動(dòng)電流對(duì)開(kāi)關(guān)損耗如此重要了驅(qū)動(dòng)電流越大這三個(gè)階段過(guò)得越快平均損耗越低。這也是為什么功率應(yīng)用里驅(qū)動(dòng)芯片的峰值驅(qū)動(dòng)電流規(guī)格很關(guān)鍵幾安培的柵極驅(qū)動(dòng)電流都不是新鮮事。5. 常見(jiàn)問(wèn)題排查與實(shí)用速查表把日常工作中最常見(jiàn)的VGS相關(guān)故障整理成了一張速查表遇到問(wèn)題直接對(duì)照看就行故障現(xiàn)象常見(jiàn)原因排查方向管子完全不導(dǎo)通VGS低于VGS(th)或驅(qū)動(dòng)線斷測(cè)柵極對(duì)源極電壓、查電路接線導(dǎo)通后發(fā)熱嚴(yán)重驅(qū)動(dòng)電壓不足RDS(on)偏大升高驅(qū)動(dòng)電壓、比較規(guī)格書(shū)不同VGS下的RDS(on)開(kāi)關(guān)波形上升沿極慢柵極驅(qū)動(dòng)電流不夠、柵極電阻過(guò)大減小柵極電阻、換用驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)的ICVGS波形有明顯振鈴柵極回路寄生電感大、驅(qū)動(dòng)回路面積大縮短?hào)艠O走線、加?xùn)艠O電阻/磁珠管子莫名其妙損壞柵極過(guò)壓擊穿加穩(wěn)壓管鉗位、查驅(qū)動(dòng)尖峰關(guān)機(jī)后管子仍導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓關(guān)不徹底、下拉電阻缺失在柵源之間加下拉電阻、檢查驅(qū)動(dòng)時(shí)序5.1 柵極串聯(lián)電阻的大小怎么定柵極串聯(lián)電阻Rg的選擇歷來(lái)是個(gè)取舍。電阻越大開(kāi)關(guān)速度越慢電磁干擾越小電阻越小開(kāi)關(guān)速度越快但振鈴和尖峰就越大。一個(gè)典型經(jīng)驗(yàn)值低壓小功率管子可以選10Ω到22Ω大功率模塊或IGBT可能選4.7Ω到10Ω具體要根據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓、開(kāi)關(guān)頻率和電路寄生參數(shù)來(lái)調(diào)。調(diào)的時(shí)候可以用示波器看著波形調(diào)目標(biāo)是讓VGS上升沿既有足夠斜率又沒(méi)有明顯的過(guò)沖振鈴。5.2 測(cè)量VGS時(shí)容易忽略的共地問(wèn)題再次強(qiáng)調(diào)一下差分探頭的重要性。如果你非要用單端探頭測(cè)高邊管子的VGS探頭的“地”夾到的是源極而源極對(duì)大地可能有幾百伏的交流電壓或者劇烈波動(dòng)輕則測(cè)量結(jié)果嚴(yán)重失真重則燒探頭甚至危及人身安全。在這個(gè)問(wèn)題上真的不要抱僥幸心理一套隔離差分探頭是功率電子工作臺(tái)的必備工具。5.3 想徹底關(guān)斷為什么要在柵源之間加電阻柵極是絕緣的理論上斷開(kāi)驅(qū)動(dòng)信號(hào)后柵極電荷沒(méi)有泄放回路VGS會(huì)因?yàn)殡姾杀３侄恢贝嬖诠茏泳鸵恢北３謱?dǎo)通。這是MOSFET的好處也是坑處。如果驅(qū)動(dòng)芯片輸出高阻態(tài)或者單片機(jī)上電瞬間IO口還沒(méi)配置好柵極電位就會(huì)懸空一點(diǎn)點(diǎn)靜電或者干擾就能讓VGS超過(guò)閾值導(dǎo)致意外導(dǎo)通。所以工程上幾乎都要在柵源之間并聯(lián)一個(gè)電阻典型值從10kΩ到100kΩ用來(lái)提供電荷泄放路徑確保斷電或者驅(qū)動(dòng)懸空時(shí)管子能可靠關(guān)斷。這個(gè)電阻還有一個(gè)副作用它和輸入電容Ciss構(gòu)成RC低通會(huì)降低開(kāi)關(guān)速度。不過(guò)阻值選得足夠大幾十千歐以上對(duì)開(kāi)關(guān)速度的影響可以忽略不計(jì)。6. 從VGS出發(fā)重新理解規(guī)格書(shū)里的那張曲線圖很多工程師看規(guī)格書(shū)只挑最大電流和耐壓其實(shí)VGS相關(guān)的曲線圖才是真正高效的選型依據(jù)。這里再補(bǔ)充兩個(gè)實(shí)際應(yīng)用中的技巧。6.1 用“VGS vs 轉(zhuǎn)移特性”判斷管子的一致性規(guī)格書(shū)里面有一張圖叫轉(zhuǎn)移特性曲線橫軸是VGS縱軸是ID通常會(huì)在不同的溫度條件下畫(huà)好幾條線。這張圖的斜率就是gFS。你可以從這張圖直接讀出在某一個(gè)VGS下管子能通過(guò)多大電流要過(guò)目標(biāo)電流需要多大的VGS溫度升高或者降低這條曲線怎么偏移。溫度對(duì)VGS(th)的影響通常是負(fù)溫度系數(shù)也就是說(shuō)溫度越高VGS(th)越低。這個(gè)特性在大電流并聯(lián)均流設(shè)計(jì)里要特別注意如果兩個(gè)管子并聯(lián)一個(gè)溫度高一點(diǎn)它的VGS(th)降低會(huì)分到更多電流然后溫度更高形成正反饋熱失控風(fēng)險(xiǎn)。要解決這個(gè)問(wèn)題要么選擇帶負(fù)溫度系數(shù)RDS(on)的管子利用自身負(fù)反饋均流要么加強(qiáng)散熱一致性。6.2 理解“米勒平臺(tái)”的寬度預(yù)判開(kāi)關(guān)損耗VGS波形里的米勒平臺(tái)寬度其實(shí)對(duì)應(yīng)的是柵極電流既要滿足溝道電流建立的需求還要克服柵漏電容的密勒效應(yīng)。平臺(tái)越寬說(shuō)明Cgd越大在高壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)合下管子處于線性區(qū)的時(shí)間越長(zhǎng)開(kāi)關(guān)損耗就越大。這也是為什么碳化硅SiC和氮化鎵GaN這類新型功率器件要在柵極結(jié)構(gòu)上做優(yōu)化它們的米勒電容遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)硅器件所以能實(shí)現(xiàn)極低的開(kāi)關(guān)損耗和極高的工作頻率。我在實(shí)際選型時(shí)會(huì)特別對(duì)比同規(guī)格不同管子的QG參數(shù)同樣10V驅(qū)動(dòng)電壓下QG越小需要的驅(qū)動(dòng)能量越少越容易做到高速開(kāi)關(guān)。7. 最后分享一個(gè)小技巧利用VGS的充放電特性做故障預(yù)判如果你手頭有管子懷疑損壞但手邊沒(méi)有專業(yè)的晶體管測(cè)試儀可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的“柵極電容充電”實(shí)驗(yàn)做初步判斷。用萬(wàn)用表的二極管檔這個(gè)檔位通常有恒流源輸出電流很小幾毫安以下去接?xùn)艠O和源極方向是紅表筆接?xùn)艠O黑表筆接源極觀察萬(wàn)用表的讀數(shù)變化。正常的MOSFET因?yàn)闁旁粗g存在輸入電容恒流源會(huì)慢慢給這個(gè)電容充電萬(wàn)用表的讀數(shù)會(huì)從0逐漸上升到某個(gè)穩(wěn)定值實(shí)際是電容充滿了。如果讀數(shù)瞬間跳到最大值屏幕顯示的電壓值沒(méi)有任何過(guò)渡說(shuō)明柵極對(duì)源極已經(jīng)短路或者呈開(kāi)路狀態(tài)管子很可能已經(jīng)壞了。如果是柵源短路萬(wàn)用表會(huì)一直顯示接近0V。這個(gè)方法不用拆芯片拿來(lái)快速篩選一批懷疑損壞的管子非常高效。另外一個(gè)綜合經(jīng)驗(yàn)分析任何失效板子第一步都是測(cè)VGS波形。如果是驅(qū)動(dòng)問(wèn)題VGS波形是最快暴露問(wèn)題的如果是負(fù)載側(cè)問(wèn)題VGS波形往往沒(méi)有明顯異常。用這個(gè)“先VGS后其他”的思路能省掉一半的排查時(shí)間。做電子設(shè)計(jì)就是這么回事看似一個(gè)簡(jiǎn)單的VGS參數(shù)實(shí)際上貫穿了半導(dǎo)體物理、驅(qū)動(dòng)電路、功率損耗、熱設(shè)計(jì)、可靠性試驗(yàn)所有這些環(huán)節(jié)。把VGS理解透了MOSFET這個(gè)器件在你手里就真正成了一個(gè)可控、可靠、可預(yù)測(cè)的工具。