1. 從一個(gè)讓人抓狂的現(xiàn)象說起剛?cè)胄心菚?huì)兒我最怕調(diào)試按鍵電路。明明程序里寫了按下按鍵讀低電平結(jié)果按鍵沒按下去單片機(jī)讀回來的還是低電平程序跟死機(jī)了一樣。拿萬用表一量IO口電壓在1.2V左右晃悠既不是高也不是低整個(gè)人都懵了。后來老師傅看了一眼說“加個(gè)上拉電阻?！蔽液噶藗€(gè)10kΩ的電阻上去問題瞬間消失。當(dāng)時(shí)我就想這玩意兒到底什么原理為什么一個(gè)電阻就能把電壓“拉”上去這個(gè)問題困擾了我很久直到我把歐姆定律和IO口的內(nèi)部結(jié)構(gòu)徹底捋了一遍才真正搞明白。上拉電阻和下拉電阻說白了就是給IO口一個(gè)“默認(rèn)狀態(tài)”讓它在沒有外部信號(hào)驅(qū)動(dòng)的時(shí)候有一個(gè)確定的電平而不是懸空飄著。懸空的IO口就像一根天線周圍一點(diǎn)電磁干擾就能讓它亂跳單片機(jī)讀到的值完全隨機(jī)程序行為自然不可預(yù)測。這篇文章就是把我這些年踩過的坑、總結(jié)的經(jīng)驗(yàn)用最通俗的方式講清楚。不管你是剛學(xué)單片機(jī)的新手還是做了幾年硬件但一直沒深究原理的老手看完之后應(yīng)該都能對(duì)上拉、下拉電阻有一個(gè)透徹的理解。我會(huì)從最基本的原理講起然后拆解實(shí)際電路中的各種應(yīng)用場景包括IIC總線上拉電阻取值、CC線纜識(shí)別、柵極下拉、蜂鳴器驅(qū)動(dòng)、SWD引腳復(fù)用、一個(gè)IO口控制兩個(gè)按鍵這些熱搜詞背后的實(shí)際問題。每個(gè)場景我都會(huì)給出具體的參數(shù)計(jì)算過程和實(shí)操建議讓你不僅知道“要加上拉”還知道“為什么加”和“加多大”。2. 上拉電阻和下拉電阻到底在干什么2.1 先搞懂IO口的三種狀態(tài)要理解上拉下拉得先知道數(shù)字電路里的IO口有哪幾種狀態(tài)。對(duì)于一個(gè)典型的CMOS工藝IO口內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以簡化為一個(gè)PMOS管和一個(gè)NMOS管組成的推挽輸出。PMOS管接在電源和輸出端之間NMOS管接在輸出端和地之間。當(dāng)PMOS導(dǎo)通、NMOS截止時(shí)輸出端被拉到電源電壓這就是高電平當(dāng)NMOS導(dǎo)通、PMOS截止時(shí)輸出端被拉到地這就是低電平。但問題來了當(dāng)PMOS和NMOS都截止的時(shí)候呢輸出端就處于一種“懸空”狀態(tài)也叫高阻態(tài)。這時(shí)候輸出端的電壓是不確定的它取決于外部電路和寄生參數(shù)。如果沒有任何外部連接這個(gè)引腳就像一根懸空的導(dǎo)線周圍的電磁場、靜電、甚至你手指碰一下都能讓它感應(yīng)出電壓。單片機(jī)讀這個(gè)引腳的時(shí)候讀到的值就是隨機(jī)的。上拉電阻和下拉電阻的作用就是在IO口懸空的時(shí)候給它一個(gè)確定的默認(rèn)電平。上拉電阻把引腳拉到電源電壓讓默認(rèn)狀態(tài)是高電平下拉電阻把引腳拉到地讓默認(rèn)狀態(tài)是低電平。這樣即使沒有外部信號(hào)驅(qū)動(dòng)IO口也有一個(gè)穩(wěn)定的值不會(huì)亂跳。2.2 用歐姆定律算給你看很多人覺得上拉電阻“拉高電平”這個(gè)說法很玄乎其實(shí)用歐姆定律一算就清楚了。假設(shè)電源電壓是3.3V上拉電阻是10kΩIO口的輸入阻抗非常高通常在兆歐級(jí)別。那么當(dāng)IO口懸空時(shí)流過上拉電阻的電流幾乎為零電阻兩端的壓降也幾乎為零所以IO口的電壓就約等于電源電壓3.3V這就是高電平。當(dāng)外部電路把IO口拉到地的時(shí)候比如按鍵按下這時(shí)候電源通過上拉電阻和按鍵形成回路。流過上拉電阻的電流是3.3V除以10kΩ等于0.33mA。這個(gè)電流很小不會(huì)損壞電路但足以讓IO口的電壓被拉到接近0V這就是低電平。上拉電阻的阻值越大這個(gè)電流越小功耗越低但抗干擾能力也越弱阻值越小電流越大功耗越高但抗干擾能力越強(qiáng)。這就是為什么上拉電阻的取值需要在功耗和抗干擾之間做權(quán)衡。下拉電阻的原理完全一樣只是把電源換成了地。當(dāng)IO口懸空時(shí)下拉電阻把引腳拉到0V默認(rèn)低電平當(dāng)外部電路給IO口加高電平時(shí)電流通過下拉電阻流入地引腳電壓被拉高。2.3 為什么不能直接短接電源或地有人可能會(huì)問既然上拉就是把引腳接到電源那直接接一根導(dǎo)線到電源不就行了為什么要加電阻這個(gè)問題問得好。如果直接短接當(dāng)外部電路試圖把引腳拉到低電平時(shí)電源和地之間就形成了短路電流會(huì)非常大可能燒毀電源、燒毀IO口、燒毀外部電路。加一個(gè)電阻就限制了電流保護(hù)了所有器件。這個(gè)電阻的阻值選擇本質(zhì)上就是在“默認(rèn)狀態(tài)要穩(wěn)”和“外部驅(qū)動(dòng)要能拉得動(dòng)”之間找平衡。阻值太大默認(rèn)狀態(tài)容易被干擾阻值太小外部驅(qū)動(dòng)時(shí)電流太大功耗高甚至可能超出IO口的驅(qū)動(dòng)能力。所以上拉下拉電阻的取值從來不是一個(gè)隨便拍腦袋的數(shù)字而是根據(jù)具體應(yīng)用場景算出來的。3. 不同場景下的上拉下拉電阻實(shí)戰(zhàn)解析3.1 IIC總線上拉電阻到底取多大IIC總線是上拉電阻最經(jīng)典的應(yīng)用場景。IIC的SDA和SCL兩根線都是開漏輸出也就是說器件只能把線拉低不能主動(dòng)拉高。線要變高必須靠上拉電阻。所以IIC總線上拉電阻是必須的沒有它總線根本工作不了。那取多大呢這個(gè)問題在熱搜里被反復(fù)問說明確實(shí)很多人搞不清楚。IIC總線的上拉電阻取值受幾個(gè)因素制約。首先是總線電容IIC規(guī)范規(guī)定總線電容不能超過400pF。上拉電阻和總線電容構(gòu)成一個(gè)RC電路上升時(shí)間大約是0.8473乘以R乘以C。如果上拉電阻太大上升時(shí)間就長高速模式下可能還沒上升到高電平閾值下一個(gè)時(shí)鐘沿就來了通信就失敗了。以標(biāo)準(zhǔn)模式100kHz為例上升時(shí)間最大允許1000ns。假設(shè)總線電容是200pF那么R最大是1000ns除以0.8473除以200pF大約是5.9kΩ。所以標(biāo)準(zhǔn)模式下常用4.7kΩ或10kΩ?？焖倌Ｊ?00kHz時(shí)上升時(shí)間最大300ns同樣200pF電容下R最大約1.8kΩ所以快速模式常用2.2kΩ或1.8kΩ。但電阻也不能太小太小了灌電流太大。IIC規(guī)范規(guī)定器件拉低時(shí)灌電流最大3mA。假設(shè)電源3.3V上拉電阻1kΩ灌電流就是3.3mA已經(jīng)超標(biāo)了。所以1kΩ是下限。綜合考慮3.3V系統(tǒng)下標(biāo)準(zhǔn)模式用4.7kΩ快速模式用2.2kΩ這是最穩(wěn)妥的選擇。5V系統(tǒng)下可以適當(dāng)增大因?yàn)橥瑯拥碾娮?V時(shí)的灌電流更大。注意如果你在總線上掛了多個(gè)器件總線電容會(huì)增加上拉電阻要相應(yīng)減小。但減小到1kΩ以下就要小心灌電流超標(biāo)。實(shí)測下來3.3V系統(tǒng)掛三四個(gè)器件2.2kΩ基本都能穩(wěn)定工作。3.2 CC和VBUS之間的上拉電阻與CC和GND之間的下拉電阻這個(gè)熱搜詞涉及的是Type-C接口的供電識(shí)別機(jī)制。Type-C接口有兩根CC線CC1和CC2。在供電端CC線通過一個(gè)上拉電阻RP接到VBUS在受電端CC線通過一個(gè)下拉電阻RB接到GND。這個(gè)設(shè)計(jì)的目的是讓供電端和受電端能夠互相識(shí)別并協(xié)商供電能力。具體來說供電端的上拉電阻RP阻值決定了它能提供多少電流。標(biāo)準(zhǔn)里定義了三種默認(rèn)供電能力默認(rèn)USB供電RP是56kΩ1.5A供電RP是22kΩ3A供電RP是10kΩ。受電端的下拉電阻RB通常是5.1kΩ。當(dāng)供電端和受電端通過線纜連接后CC線上就形成了一個(gè)分壓電路。供電端檢測CC線上的電壓就能知道自己面對(duì)的是什么樣的受電端從而決定是否供電以及供多少電。這個(gè)機(jī)制的精妙之處在于它用兩個(gè)電阻就實(shí)現(xiàn)了供電能力的協(xié)商不需要額外的通信協(xié)議。但實(shí)際設(shè)計(jì)中RP和RB的精度很重要。如果RP偏差太大可能導(dǎo)致供電端誤判受電端的能力要么供電不足要么過流保護(hù)。所以這兩個(gè)電阻通常要求1%精度。提示如果你自己設(shè)計(jì)Type-C受電設(shè)備CC線上的下拉電阻RB必須是5.1kΩ不能隨便改。這個(gè)值是標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的改了可能導(dǎo)致無法識(shí)別或識(shí)別錯(cuò)誤。3.3 柵極下拉電阻為什么必不可少M(fèi)OS管和IGBT的柵極是電壓控制端柵極和源極之間有一個(gè)寄生電容。這個(gè)電容很小通常幾十到幾百pF但柵極的輸入阻抗極高幾乎不消耗電流。這意味著柵極上的電荷一旦積累起來就很難泄放掉。如果柵極懸空寄生電容上可能積累隨機(jī)電荷導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源開關(guān)等場合誤導(dǎo)通可能造成嚴(yán)重后果比如上下橋臂直通瞬間燒毀功率管。所以柵極必須加一個(gè)下拉電阻把柵極電壓默認(rèn)拉到源極電位確保MOS管在驅(qū)動(dòng)信號(hào)沒有到來時(shí)可靠關(guān)斷。柵極下拉電阻的取值通常在10kΩ到100kΩ之間。取值太小驅(qū)動(dòng)電路要給柵極電容充電時(shí)一部分電流會(huì)通過下拉電阻流走增加驅(qū)動(dòng)損耗取值太大電荷泄放慢關(guān)斷延遲大。實(shí)際選型時(shí)還要考慮驅(qū)動(dòng)電阻的匹配。通常驅(qū)動(dòng)電阻是10Ω到100Ω下拉電阻是它的幾十倍到幾百倍這樣既不影響開關(guān)速度又能可靠關(guān)斷。3.4 有源蜂鳴器驅(qū)動(dòng)是高電平還是低電平有源蜂鳴器內(nèi)部有振蕩電路通電就響不需要外部PWM驅(qū)動(dòng)。它的驅(qū)動(dòng)方式取決于你用的是NPN三極管還是PNP三極管。用NPN三極管時(shí)IO口輸出高電平三極管導(dǎo)通蜂鳴器響輸出低電平三極管截止蜂鳴器不響。用PNP三極管時(shí)邏輯反過來IO口輸出低電平三極管導(dǎo)通蜂鳴器響。但這里有個(gè)坑很多單片機(jī)在上電復(fù)位期間IO口是懸空的高阻態(tài)。如果蜂鳴器驅(qū)動(dòng)電路沒有下拉電阻三極管的基極可能懸空導(dǎo)致蜂鳴器在上電瞬間亂響。所以基極必須加一個(gè)下拉電阻確保上電時(shí)三極管可靠截止。這個(gè)下拉電阻通常取10kΩ和基極串聯(lián)電阻配合使用。注意有源蜂鳴器驅(qū)動(dòng)電流通常比較大三極管基極電阻要算好。假設(shè)蜂鳴器電流30mA三極管放大倍數(shù)100基極電流至少0.3mA。IO口高電平3.3V基極串聯(lián)電阻加下拉電阻分壓要保證基極電流足夠。實(shí)際常用1kΩ串聯(lián)加10kΩ下拉實(shí)測很穩(wěn)。3.5 SWDIO和SWCLK能不能當(dāng)普通IO口用這個(gè)問題在嵌入式開發(fā)中非常常見。SWDIO和SWCLK是調(diào)試接口但在產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)調(diào)試接口往往不需要保留這時(shí)候能不能把這兩個(gè)引腳復(fù)用成普通IO口呢答案是可以但有條件。SWDIO和SWCLK在芯片復(fù)位后默認(rèn)是調(diào)試功能。要復(fù)用成普通IO口需要在初始化代碼里先關(guān)閉調(diào)試功能然后重新配置引腳為GPIO模式。但這里有個(gè)風(fēng)險(xiǎn)一旦關(guān)閉調(diào)試功能你就沒法再用調(diào)試器連接芯片了。如果代碼有問題導(dǎo)致芯片跑飛你就只能通過其他方式比如串口下載來恢復(fù)。所以我的建議是如果確實(shí)需要復(fù)用一定要在代碼里留一個(gè)“后門”比如通過某個(gè)按鍵組合或者串口命令可以在運(yùn)行時(shí)重新使能調(diào)試功能。另外SWDIO內(nèi)部通常有上拉電阻SWCLK內(nèi)部通常有下拉電阻復(fù)用成普通IO口時(shí)要注意這些內(nèi)部電阻對(duì)電路的影響。如果外部電路也有上拉下拉可能會(huì)形成分壓導(dǎo)致電平判斷錯(cuò)誤。3.6 一個(gè)IO口控制兩個(gè)按鍵的巧妙設(shè)計(jì)一個(gè)IO口控制兩個(gè)按鍵這個(gè)需求在按鍵數(shù)量多但I(xiàn)O口緊張的時(shí)候很實(shí)用。實(shí)現(xiàn)方法有很多種最常見的是用電阻分壓。兩個(gè)按鍵分別接不同的電阻到地IO口通過一個(gè)上拉電阻接到電源。按下按鍵1時(shí)IO口讀到某個(gè)中間電壓按下按鍵2時(shí)讀到另一個(gè)中間電壓兩個(gè)都不按時(shí)讀到電源電壓兩個(gè)都按時(shí)讀到另一個(gè)電壓。通過ADC讀取電壓值就能區(qū)分四種狀態(tài)。這個(gè)方案的關(guān)鍵是電阻取值要拉開差距讓四種狀態(tài)的電壓值有足夠的區(qū)分度。假設(shè)上拉電阻是10kΩ按鍵1串聯(lián)電阻是10kΩ按鍵2串聯(lián)電阻是3.3kΩ。都不按時(shí)IO口電壓是3.3V按按鍵1時(shí)分壓得到1.65V按按鍵2時(shí)分壓得到0.82V兩個(gè)都按時(shí)兩個(gè)電阻并聯(lián)分壓得到約0.55V。這四個(gè)電壓值差距明顯ADC很容易區(qū)分。但這個(gè)方案也有缺點(diǎn)按鍵按下時(shí)會(huì)持續(xù)消耗電流不適合電池供電的設(shè)備。另外如果兩個(gè)按鍵同時(shí)按下電壓值可能和某個(gè)單按鍵狀態(tài)接近需要仔細(xì)計(jì)算。實(shí)際使用時(shí)建議用1%精度的電阻并且ADC參考電壓要穩(wěn)定。4. 上拉下拉電阻的選型計(jì)算與實(shí)操步驟4.1 阻值選擇的三個(gè)核心約束上拉下拉電阻的阻值選擇本質(zhì)上是在三個(gè)約束之間找平衡。第一個(gè)約束是功耗。電阻越小靜態(tài)功耗越大。比如3.3V系統(tǒng)1kΩ上拉電阻在低電平時(shí)消耗3.3mA電流10kΩ只消耗0.33mA。對(duì)于電池供電的設(shè)備這個(gè)差距很關(guān)鍵。第二個(gè)約束是抗干擾能力。電阻越大對(duì)外部干擾越敏感。因?yàn)楦蓴_源通常有一定的內(nèi)阻如果上拉電阻太大干擾源很容易把引腳電壓拉偏。一般來說10kΩ以下的上拉電阻抗干擾能力都不錯(cuò)100kΩ以上就要小心了。第三個(gè)約束是信號(hào)速度。電阻和線路電容構(gòu)成RC電路電阻越大上升沿越慢。對(duì)于高速信號(hào)比如IIC快速模式、SPI時(shí)鐘線上拉電阻必須小到保證上升時(shí)間滿足時(shí)序要求。計(jì)算方法是上升時(shí)間約等于2.2乘以R乘以C要求上升時(shí)間小于信號(hào)周期的十分之一。4.2 手把手計(jì)算IIC上拉電阻假設(shè)你設(shè)計(jì)一個(gè)3.3V的IIC總線標(biāo)準(zhǔn)模式100kHz總線上掛兩個(gè)器件每個(gè)器件引腳電容10pFPCB走線電容約20pF總線電容合計(jì)約40pF。要求上升時(shí)間小于1000ns。根據(jù)公式上升時(shí)間 0.8473 × R × C。代入C40pF上升時(shí)間1000ns得到R 1000ns / (0.8473 × 40pF) ≈ 29.5kΩ。這是上限。下限由灌電流決定IIC規(guī)范規(guī)定灌電流最大3mA3.3V / 3mA 1.1kΩ。所以R的范圍是1.1kΩ到29.5kΩ。取中間值4.7kΩ或10kΩ都可以。但考慮到抗干擾和上升時(shí)間余量4.7kΩ更穩(wěn)妥。如果改成快速模式400kHz上升時(shí)間要求小于300ns。同樣40pF電容R上限 300ns / (0.8473 × 40pF) ≈ 8.8kΩ。下限還是1.1kΩ。所以快速模式下2.2kΩ到4.7kΩ是合理范圍。實(shí)際選2.2kΩ上升時(shí)間約75ns余量充足。4.3 實(shí)操步驟從原理圖到PCB第一步確定IO口的工作模式。如果是開漏輸出必須加上拉電阻如果是推挽輸出上拉電阻不是必須的但可以加一個(gè)弱上拉確保上電默認(rèn)狀態(tài)。如果是輸入模式根據(jù)默認(rèn)狀態(tài)需求選擇上拉或下拉。第二步計(jì)算阻值范圍。根據(jù)功耗、抗干擾、信號(hào)速度三個(gè)約束算出阻值的上下限。然后在這個(gè)范圍內(nèi)選擇一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)阻值。常用標(biāo)準(zhǔn)阻值有1kΩ、2.2kΩ、4.7kΩ、10kΩ、22kΩ、47kΩ、100kΩ。第三步選擇電阻類型。普通應(yīng)用用厚膜電阻就行精度1%足夠。高頻信號(hào)要考慮電阻的寄生電感和電容選用高頻特性好的薄膜電阻。高可靠性場合要用金屬膜電阻溫度系數(shù)小。第四步PCB布局。上拉下拉電阻要盡量靠近IO口引腳減少走線長度降低引入干擾的風(fēng)險(xiǎn)。電阻的接地端要就近打過孔到地平面確保接地阻抗低。提示如果你不確定阻值取多少先用10kΩ試。10kΩ是一個(gè)很安全的默認(rèn)值大部分場合都能工作。如果發(fā)現(xiàn)上升沿太慢或者抗干擾不夠再往小調(diào)如果發(fā)現(xiàn)功耗太大再往大調(diào)。5. 常見問題與排查技巧實(shí)錄5.1 上拉電阻加了但電平還是不對(duì)這種情況我遇到過好幾次。最常見的原因是上拉電阻的另一端沒有接到正確的電源。比如你想上拉到3.3V結(jié)果接到了5VIO口可能因?yàn)檫^壓保護(hù)而鉗位讀到的電平就不對(duì)。還有一種可能是上拉電阻虛焊萬用表量的時(shí)候有電壓但實(shí)際接觸電阻很大一有負(fù)載電壓就掉下來。排查方法先斷電用萬用表量上拉電阻兩端的阻值確認(rèn)沒有虛焊。然后上電量上拉電阻電源端的電壓確認(rèn)是3.3V。再量IO口電壓如果還是不對(duì)把IO口配置成輸入量外部電路有沒有在拉低。如果外部電路有下拉而且下拉電阻比上拉電阻小很多那IO口電壓就會(huì)被拉低這是正常的需要調(diào)整電阻比例。5.2 上拉電阻導(dǎo)致功耗超標(biāo)電池供電的設(shè)備上拉電阻的靜態(tài)功耗不能忽視。比如一個(gè)按鍵電路上拉電阻10kΩ按鍵按下時(shí)電流0.33mA。如果按鍵長時(shí)間按下這個(gè)電流持續(xù)消耗。如果設(shè)備要求待機(jī)電流小于10μA這個(gè)0.33mA就完全不能接受。解決辦法增大上拉電阻到100kΩ甚至1MΩ把靜態(tài)電流降到微安級(jí)別。但增大電阻后抗干擾能力下降可能需要加一個(gè)小電容濾波。另一個(gè)辦法是用內(nèi)部上拉電阻很多單片機(jī)內(nèi)部上拉電阻是幾十kΩ可以配置使能省掉外部電阻。但內(nèi)部上拉電阻精度差阻值范圍大不適合對(duì)一致性要求高的場合。5.3 多個(gè)IO口共用上拉電阻的問題有時(shí)候?yàn)榱耸‰娮栌腥藭?huì)把多個(gè)IO口的上拉電阻合并成一個(gè)。比如四個(gè)IO口共用一個(gè)10kΩ上拉電阻。這樣做的問題是當(dāng)其中一個(gè)IO口被拉低時(shí)其他IO口的電壓也會(huì)被拉低因?yàn)樗鼈兪沁B在一起的。除非這些IO口永遠(yuǎn)不會(huì)同時(shí)使用否則不能共用上拉電阻。正確的做法是每個(gè)IO口獨(dú)立上拉。如果實(shí)在IO口太多可以考慮用排阻一個(gè)排阻里有四個(gè)或八個(gè)獨(dú)立電阻節(jié)省PCB空間。5.4 上拉下拉電阻的常見問題速查表問題現(xiàn)象可能原因排查方法解決方案IO口電平不穩(wěn)定上拉下拉電阻虛焊萬用表量電阻兩端阻值重新焊接上電瞬間IO口亂跳沒有上拉下拉電阻示波器看上電波形加上拉或下拉功耗超標(biāo)上拉電阻太小量靜態(tài)電流增大電阻或改用內(nèi)部上拉信號(hào)上升沿太慢上拉電阻太大示波器量上升時(shí)間減小電阻多個(gè)IO口互相影響共用上拉電阻逐個(gè)斷開測試每個(gè)IO口獨(dú)立上拉按鍵誤觸發(fā)沒有消抖電容示波器看按鍵波形加0.1μF電容并聯(lián)按鍵5.5 獨(dú)家避坑經(jīng)驗(yàn)第一個(gè)坑上拉電阻的電源和IO口的電源必須一致。我見過有人IO口是3.3V上拉電阻接到5V結(jié)果IO口內(nèi)部保護(hù)二極管導(dǎo)通電流倒灌芯片發(fā)熱。這個(gè)錯(cuò)誤很隱蔽因?yàn)殡娐房雌饋砟芄ぷ鞯L期可靠性很差。第二個(gè)坑下拉電阻在按鍵電路中的位置。按鍵一端接IO口一端接地下拉電阻應(yīng)該接在IO口和地之間而不是按鍵和地之間。如果接在按鍵和地之間按鍵按下時(shí)下拉電阻被短路不起作用按鍵松開時(shí)下拉電阻才起作用。雖然功能上也能工作但按鍵按下時(shí)沒有限流可能損壞IO口。第三個(gè)坑IIC總線的上拉電阻不能省。有些人覺得單片機(jī)內(nèi)部有上拉就不加外部上拉。但內(nèi)部上拉通常幾十kΩ上升時(shí)間太長IIC通信會(huì)失敗。實(shí)測下來內(nèi)部上拉只能用于低速場合標(biāo)準(zhǔn)模式以上必須加外部上拉。第四個(gè)坑?xùn)艠O下拉電阻的功率。MOS管柵極下拉電阻雖然電流小但如果在高壓場合電阻兩端電壓可能很高功率要算夠。比如400V母線下拉電阻100kΩ功耗是1.6W必須用功率電阻。這個(gè)很容易被忽略導(dǎo)致電阻燒毀。6. 進(jìn)階話題上拉下拉電阻的替代方案6.1 用恒流源替代上拉電阻在某些高速總線中上拉電阻的上升時(shí)間受RC常數(shù)限制很難做到很快。這時(shí)候可以用恒流源替代上拉電阻。恒流源提供一個(gè)恒定的電流給總線電容充電充電速度是線性的比RC充電快得多。而且恒流源的等效阻抗很高對(duì)總線的負(fù)載效應(yīng)小。不過恒流源電路復(fù)雜成本高一般只在高速場合使用。6.2 用有源上拉替代無源上拉有源上拉是用一個(gè)PMOS管替代上拉電阻。當(dāng)總線需要拉高時(shí)PMOS管導(dǎo)通提供大電流快速充電當(dāng)總線被拉低時(shí)PMOS管截止不消耗電流。這種方案結(jié)合了低功耗和高速的優(yōu)點(diǎn)但控制邏輯復(fù)雜需要額外的驅(qū)動(dòng)電路。在一些高端IIC緩沖器芯片里內(nèi)部就是用有源上拉。6.3 內(nèi)部上拉下拉的配置技巧很多單片機(jī)內(nèi)部有可配置的上拉下拉電阻通過寄存器使能。內(nèi)部上拉電阻通常30kΩ到50kΩ下拉電阻類似。優(yōu)點(diǎn)是省外部元件缺點(diǎn)是阻值精度差溫度系數(shù)大。適合低速、短距離、干擾小的場合。配置時(shí)要注意有些單片機(jī)在上電復(fù)位后默認(rèn)使能內(nèi)部上拉有些默認(rèn)關(guān)閉需要查數(shù)據(jù)手冊(cè)確認(rèn)。注意內(nèi)部上拉電阻的阻值在芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)里通常給的是一個(gè)范圍比如30kΩ到80kΩ。如果你需要精確的阻值必須用外部電阻。內(nèi)部上拉只適合對(duì)阻值不敏感的場合比如按鍵輸入。7. 我個(gè)人的實(shí)操體會(huì)上拉下拉電阻這個(gè)知識(shí)點(diǎn)看起來簡單但真正吃透需要把歐姆定律、IO口結(jié)構(gòu)、RC電路、具體協(xié)議規(guī)范都串起來。我剛開始學(xué)的時(shí)候也是死記硬背“上拉拉高、下拉拉低”但遇到實(shí)際問題就懵。后來逼著自己把每個(gè)場景的電流、電壓、時(shí)間都算一遍才算真正理解。我的經(jīng)驗(yàn)是遇到不確定的情況先算電流。電流算清楚了功耗、驅(qū)動(dòng)能力、灌電流這些問題就都清楚了。然后再算時(shí)間RC常數(shù)算出來上升沿夠不夠快就知道了。最后看協(xié)議規(guī)范IIC、Type-C這些都有明確的參數(shù)要求照著規(guī)范選值基本不會(huì)錯(cuò)。還有一個(gè)體會(huì)是不要迷信“經(jīng)驗(yàn)值”。10kΩ確實(shí)很常用但不是萬能的。高速IIC用10kΩ可能通信失敗電池供電用10kΩ可能功耗超標(biāo)。每次設(shè)計(jì)都要根據(jù)具體場景算一遍哪怕算出來還是10kΩ心里也有底。最后分享一個(gè)小技巧如果你手頭沒有合適的電阻可以用兩個(gè)電阻并聯(lián)或串聯(lián)來湊。比如需要5kΩ可以用兩個(gè)10kΩ并聯(lián)需要15kΩ可以用10kΩ和4.7kΩ串聯(lián)。精度要求不高的場合這樣湊完全沒問題。但要注意并聯(lián)后功率分配串聯(lián)后總阻值誤差累積。